uv光催化氧化設備|催化燃燒設備-程卓環(huán)保uv光催化氧化設備

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uv光催化氧化設備-催化燃燒設備

uv光催化氧化設備

uv光催化氧化設備半導體光催化劑大多是n型半導體材料(當前以TiO2使用廣泛)都具有區別于金屬或絕緣物質(zhì)的特別的能帶結構,即在一個(gè)價(jià)帶和導帶之間存在一個(gè)禁帶。由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長(cháng)閾值大都在紫外區域。
產(chǎn)地:河北省>泊頭市
供應商:滄州程卓環(huán)保機械設備有限公司
電話(huà):18730756036

uv光催化氧化設備詳細內容

uv光催化氧化設備采用世界上較_技術(shù)理念,通過(guò)_及我公司工程技術(shù)人員長(cháng)期反復的試驗,開(kāi)發(fā)研制出的,具有自主知識產(chǎn)權的高科技凈化產(chǎn)品可分解工業(yè)廢氣中有毒有害物質(zhì),并能達到脫臭、凈化效果,經(jīng)分解后的工業(yè)廢氣,可達到化排放,不產(chǎn)生二次污染,同時(shí)達到的作用。
uv光催化氧化設備采用高強度納米紫外線(xiàn)破壞、分解大分子鏈為小分子鏈,再利用臭氧和羥基自由基氧化、催化劑進(jìn)行催化氧化,使有機物變?yōu)樗投趸?,以達到去除有機物的目的。
半導體光催化劑大多是n型半導體材料(當前以TiO2使用廣泛)都具有區別于金屬或絕緣物質(zhì)的特別的能帶結構,即在一個(gè)價(jià)帶和導帶之間存在一個(gè)禁帶。
由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長(cháng)閾值大都在紫外區域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時(shí),半導體的價(jià)帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價(jià)帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時(shí)吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數的有機物氧化至產(chǎn)物CO2和H2O,甚至對一些無(wú)機物也能分解。
uv光催化氧化設備性能優(yōu)勢
<a href='/uvgchyhsb.html'>uv光催化氧化設備</a>

1、除惡臭:能去除揮發(fā)性有機物(VOC)、無(wú)機物、硫化氫、氨氣、硫醇類(lèi)等主要污染物,以及各種惡臭味,脫臭效果大大_1993年頒布的惡臭污染物排放標準(GB14554-93)和1996年頒布的《大氣污染物綜合排放標準》(GB16297-1996)。
2、無(wú)需添加_物質(zhì):只需要設置相應的排風(fēng)管道和排風(fēng)動(dòng)力,使惡臭/工業(yè)廢氣通過(guò)本設備進(jìn)行脫臭分解凈化,無(wú)需添加_物質(zhì)參與化學(xué)反應。
3、適應性強:GY-系列惡臭氣體(工業(yè)廢氣)UV光解廢氣凈化設備可適應高濃度,大氣量,不同工業(yè)廢氣物質(zhì)的脫臭、凈化處理,可每天24小時(shí)連續工作,運行穩定可靠。
4、運行成本低:GY-系列惡臭氣體(工業(yè)廢氣)UV光解廢氣凈化設備無(wú)_機械動(dòng)作,無(wú)噪音,無(wú)需專(zhuān)人管理和日常維護,只需作定期檢查,本設備能耗低,設備風(fēng)阻級低<50pa,可節約大量排風(fēng)動(dòng)力能耗。
5、設備占地面積小,自重輕:適合于布置緊湊、場(chǎng)地狹小等條件,設備占地面積<1平方米/處理10000m3/h風(fēng)量。
6、進(jìn)口材料制造:防火性能高,設備性能穩定,采用不銹鋼材質(zhì),設備使用壽命在十五年以上。
7、防爆認證產(chǎn)品:設備具有、防爆特性,已通過(guò)防爆電器產(chǎn)品質(zhì)量監督檢驗中心的Ex防爆合格認證(證書(shū)編號:CNEx13.0792 X),能廣泛應用于采油(氣)田、石油化工、制藥等防爆要求高的行業(yè)。

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